N沟MOSF管IRL3302S

TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET

类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳

分离式半导体产品

FET - 单路

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

20 毫欧 @ 23A, 7V

20V

39A

700mV @ 250µA

31nC @ 4.5V

1300pF @ 15V

57W

表面贴装

TO-263-3, D²Pak (2 引线 接片), TO-263AB

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