N沟MOSF管FDS6690A

地区:广东 深圳
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SO8, N沟MOSFET

数据列表产品相片产品培训模块产品变化通告产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳
FDS6690A
8-SOIC
High Voltage Switches for Power Processing
Cu Wirebond Change 12/Oct/2007
Mold Compound Change 12/Dec/2007
Power MOSFET, 8-SOP, SO-8
2,500
分离式半导体产品
FET - 单路
PowerTrench®
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
12.5 毫欧 @ 11A, 10V
30V
11A
3V @ 250µA
16nC @ 5V
1205pF @ 15V
1W
表面贴装
8-SOIC(0.154", 3.90mm
"
品牌/商标

其他

型号/规格

FDS6690A

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型