N沟MOSF管IRF3710S

地区:广东 深圳
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TO-263(D2-PAK) 12V-400V, N沟MOSFET

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大
IRF3710(S,L)PbF
D2PAK, TO-263
IR Hexfet D2PAK
800
分离式半导体产品
FET - 单路
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
标准型
23 毫欧 @ 28A, 10V
100V
57A
4V @ 250µA
130nC @ 10V
3130pF @ 25V
200W
品牌/商标

其他

型号/规格

IRF3710S

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

用途

A/宽频带放大

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

P-FET硅P沟道

开启电压

100(V)

夹断电压

4(V)