N沟MOSF管IRFR120N

TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳

IRFR/U120NPbF

TO-252-2

IR Hexfet DPak

2,000

分离式半导体产品

FET - 单路

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

210 毫欧 @ 5.6A, 10V

100V

9.4A

4V @ 250µA

25nC @ 10V

330pF @ 25V

48W

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 引线+接片), SC-63

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