N沟MOSF管IRLML2803

SOT-23 12V-400V, N沟MOSFE

数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)Id 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs电流 - 连续漏*(Id) @ 25° C在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装产品目录页面其它名称

IRLML280*bF

SOT-23-3 Pkg

IRML Series Top

3,000

分离式半导体产品

MOSFET，GaNFET - 单

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

逻辑电平门

250 毫欧 @ 910mA, 10V

30V

1V @ 250µA

5nC @ 10V

1.2A

85pF @ 25V

540mW

表面贴装

SOT-23-3, TO-236-3, Micro3™, SSD3, SST3

带卷 (TR)

1377 (CN091-10 PDF)

IRLML280*BFTR

T