N沟MOSF管IRF7413

地区:广东 深圳
认证:

深圳市金广顺科技有限公司

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数据列表产品相片产品目录绘图标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds(*大)@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)(*大)闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装
IRF7413ZPbF
8-SOIC
IR Hexfet 8-SOIC
1
分离式半导体产品
FET - 单路
HEXFET®
MOSFET N 通道,金属氧化物
逻辑电平门
10 毫欧 @ 13A, 10V
30V
13A
2.25V @ 25µA
14nC @ 4.5V
1210pF @ 15V
2.5W
表面贴装
8-SOIC(0.154", 3.90mm 宽)
剪切带 (*)
"
品牌/商标

其他

型号/规格

IRF7413

种类

*缘栅(MOSFET)

沟道类型

N沟道

导电方式

增强型

封装外形

SMD(SO)/表面封装

材料

N-FET硅N沟道

开启电压

30(V)

夹断电压

4.5(V)

跨导

0(μS)

*间电容

0(pF)

低频噪声系数

0(dB)

漏*电流

0(mA)

耗散功率

0(mW)