N沟MOSF管IRFR1010Z

TO-252(D-PARK) 20V-800V, N沟MOSFET

数据列表产品相片标准包装类别家庭系列FET 型FET 特点开态Rds（*大）@ Id, Vgs @ 25° C漏*至源*电压(Vdss)电流 - 连续漏*(Id) @ 25° CId 时的 Vgs(th)（*大）闸电荷(Qg) @ Vgs在 Vds 时的输入电容(Ciss)功率 - *大安装类型封装/外壳包装供应商设备封装

IRF(R,U)1010ZPbF

TO-252-2

3,000

分离式半导体产品

FET - 单路

HEXFET®

MOSFET N 通道，金属氧化物

标准型

7.5 毫欧 @ 42A, 10V

55V

42A

4V @ 100µA

95nC @ 10V

2840pF @ 25V

140W

表面贴装

TO-252-3, DPak (2 引线 接片), SC-63

带卷 (TR)

D-Pak