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台湾光宏 10 x 10 mil 红光LED芯片 BN-R1010A-A3

地区：上海 上海市
认证： 无

闳阳光电(上海)有限公司

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Scope

This specification applies to AlInGaP metal bonding 10 x 10 mil red LED chip, BN-R1010A-A3

 
Materials

P-pad：Au alloy。
N-pad：Au alloy。

 
Dimensions

Chip size：255μm x 255μm&plu*n;25μm。
P-pad： Ø90μm, thickness 3.5&plu*n;0.3μm。
Chip thickness：200μm&plu*n;25μm。

 
Electro-optical characteristics and specification: (Tc=25°C)
Test parameterConditionMinT*MaxUnit
Dominant wavelength(Wd)20mA640-680nm
Luminous intensity(Iv)20mA50-650mcd
Forward voltage(Vf1)20mA1.5-2.4V
Reverse current (Ir)-10V0-0.5uA
加工定制

否

种类

LED芯片

型号/规格

BN-R1010A-A3

品牌/商标

台湾光宏

颜色

红色

形状

方片

大小

10 x 10（mil）

亮度

*亮

波长

650（nm）