台湾光宏 大功率 LED芯片 BN-Y3232A-A3（黄光）

目的

本規格書針對光鋐科技之32mil InGaN黄光LED晶粒(BN-Y3232A-A3)

之相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。

产品特性

本產品為標準黄寶石基板(Sapphire substrate)之InGaN LED單面雙電極結

構，以具有專利之透明導電層作為P-GaN之歐姆接觸層(Ohmic contact

layer)，並以3.5um Au金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。

外观尺寸

长度:810&plu*n;30um
宽度: 810&plu*n;30um  
厚度: 3.5&plu*n;0.3um
焊垫直径: 110&plu*n;10um
焊垫厚度:200&plu*n;25um

光电特性

Test parameter

Condition

Min

T*

Max

Unit

Dominant wavelength(Wd)

350mA

570

-

610

nm

Radiant intensity(I)

350mA

4150

-

12000

mW/sr

Forward voltage(Vf4)

10uA

1.3

-

2.5

V

Forward voltage(Vf1)

350mA

1.8

-

2.8

V

Reverse current (Ir)

-10V

0

-

2

uA