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台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-B2420A-A3（蓝白）

地区：上海 上海市
认证： 无

闳阳光电(上海)有限公司

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目的

本規格書針對光鋐科技之24x20mil InGaN藍光LED晶粒(EP-B2420A-A3)

之相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。

产品特性

本產品為標準藍寶石基板(Sapphire substrate)之InGaN LED 單面雙電極結

構，以具有專利之透明導電層作為P-GaN 之歐姆接觸層(Ohmic contact

layer)，並以2um Au 金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。

 

 

 

 

外观尺寸

长度:510&plu*n;30um
宽度: 610&plu*n;30um
厚度: 150&plu*n;10um
焊垫直径: 90&plu*n;10um
焊垫厚度:2&plu*n;0.2um

 

光电特性

 

Test parameter

Condition

Min

T*

Max

Unit

Dominant wavelength(Wd)

150mA

445

-

475

nm

Radiant intensity(I)

150mA

40

-

165

mW/sr

Forward voltage(Vf4)

10uA

2

-

2.5

V

Forward voltage(Vf1)

150mA

2.8

-

3.6

V

Reverse current (Ir)

-5V

0

-

2

uA

 

"
是否提供加工定制

否

种类

LED芯片

型号/规格

EP-B2420A-A3

品牌/商标

台湾光宏

颜色

蓝色

形状

方片

大小

20*24（mil）

亮度

*亮

电压

3.6v 以下（V）

波长

450~462.5（nm）