台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-B4545K-A3(蓝光)双电*

地区:上海 上海市
认证:

闳阳光电(上海)有限公司

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目的

本规格针对光宏科技之 42mil InGaN 蓝光LED 晶粒 (EP-B4545K-A3) 之相关基本特性进行说明,以作为客户应用时之参考资料。

    
产品特性

本产品为标准蓝宝石基板(Sapphire substrate)之InGaN LED 单面双电*结构,以具有*之透明导电层作为P-GaN 之奥姆接触层(Ohmic contact layer),并以3.5um Au 金属层作为焊线电*(Bonding pad)。

    
外观尺寸

长度: 1105&plu*n;30um (45mil)
宽度: 1105&plu*n;30um (45mil)
厚度: 150&plu*n;10um
焊垫直径: 100&plu*n;10um
焊垫厚度: 3.5&plu*n;0.35um

 
光电特性
Test parameterConditionMinT*MaxUnit
Dominant wavelength(Wd)350mA445-475nm
Radiant intensity(I)350mA240-560mW/sr
Forward voltage(Vf4)10uA2-2.5V
Forward voltage(Vf1)350mA2.8-3.6V
Reverse current (Ir)-10V0-2uA


是否提供加工定制

种类

LED芯片

型号/规格

EP-B4545K-A3

品牌/商标

台湾光宏

颜色

蓝色

形状

方片

大小

45*45(mil)

亮度

*亮