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大功率 LED芯片 BH-Y4242D-A1(黃光)双电* 台湾光宏

地区：上海 上海市
认证： 无

闳阳光电(上海)有限公司

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Scope

This specification applies to AlInGaP metal bonding 42 x 42mil yellow LED chip, BH-Y4242D-A1.

    
Materials

P-pad：Au alloy
N-pad：Au alloy

    
Dimensions

Chip size：1060&plu*n;25μm x 1060&plu*n;25μm.
P-pad：Ø120&plu*n;10μm, thickness 3.5&plu*n;0.3μm.
N-pad：Ø120&plu*n;10μm, thickness 3.5&plu*n;0.3μm.
Chip thickness：200μm&plu*n;25μm.

 
Electro-optical characteristics and specification: (Tc=25°C)
Test parameterConditionMinT*MaxUnit
Dominant wavelength(Wd)350mA570-610nm
Luminous intensity(Iv)350mA4150-10000mcd
Forward voltage(Vf4)10uA1.3-2.5V
Forward voltage(Vf1)350mA1.8-2.6V
Reverse current (Ir)-10V0-2uA
加工定制

否

种类

LED芯片

型号/规格

BH-Y4242D-A3

品牌/商标

台湾光宏

颜色

黄光

形状

方片

大小

42（mil）

亮度

*亮

电压

2.8（V）

波长

585~595（nm）