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产品属性
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InGaN/GaN?
本規格書針對光鋐科技之24*24mil InGaN/GaN蓝光LED晶粒(EP-B2424C-A3)之 相關基本特性進行說明,以作為客戶應用時之參考資料。。 | |||
产品特性 | |||
本產品為InGaN/GaN磊晶層以金屬介面結合(Metal bonding)於Si基板,N-pad 在上雙電極垂直結構,並以2um Au金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。 為大尺寸、高亮度產品,其優異的特性適合一般照明以及指示應用。 | |||
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外观尺寸 | |||
长度:610&plu*n;30um | |||
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光电特性 |
Test parameter | Condition | Min | T* | Max | Unit |
Dominant wavelength(Wd) | 150mA | 445 | - | 475 | nm |
Radiant intensity(I) | 150mA | 40 | - | 180 | mW/sr |
Forward voltage(Vf4) | 10uA | 1.9 | - | 2.5 | V |
Forward voltage(Vf1) | 150mA | 2.8 | - | 3.8 | V |
Reverse current (Ir) | -5V | 0 | - | 2 | uA |
"
否
LED芯片
EP-B2424C-A3
台湾光宏
蓝色
方片
24*24(mil)
*亮
3.8(V)
445~475(nm)
电源管理芯片LED驱动器LM3409MY/NOPB
供应LED照明 > LED发射器 > 标准LED-SMD > SML-210LTT86
供应ON厂家LED驱动芯片CAT3224HV3-GT2
汇创佳电子代理ANA609
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