台湾光宏 10 x 10 mil 紅光LED芯片 BN-R1010A-R3 反电* 高亮
地区：上海 上海市
认证：
无
图文详情
产品属性
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| Scope | |||||
This specification applies to AlInGaP metal bonding 10 x 10 mil red LED chip, BN-R1010A-R3 | |||||
| Materials | |||||
P-pad：Au alloy。 | |||||
| Dimensions | |||||
Chip size：255μm x 255μm&plu*n;25μm。 | |||||
| Electro-optical characteristics and specification: (Tc=25°C) | |||||
| Test parameter | Condition | Min | T* | Max | Unit |
| Dominant wavelength(Wd) | 20mA | 600 | 620 | 650 | nm |
| Luminous intensity(Iv) | 20mA | 50 | 400 | 650 | mcd |
| Forward voltage(Vf1) | 20mA | 1.8 | 2.3 | 2.8 | V |
| Reverse current (Ir) | -10V | 0 | - | 1 | uA |
否
LED芯片
BN-R1010A-R3
台灣光宏
红色
方片
10 x 10（mil）
高亮
2.4（V）
620~630（nm）
