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大功率 LED芯片 EP-G4545V-A3（绿光） 85-110LM 台湾光宏

地区：上海 上海市
认证： 无

闳阳光电(上海)有限公司

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目的

本規格書針對光鋐科技之45mil InGaN/GaN绿光LED晶粒(EP-G4545V-A3)之

相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。。

产品特性

本產品為InGaN/GaN磊晶層以金屬介面結合(Metal bonding)於Ｓi基板，P-pad

在上雙電極垂直結構，並以1.2um Au金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。

為大尺寸、高亮度產品，其優異的特性適合一般照明以及指示應用。

 

 

 

 

外观尺寸

长度:1140&plu*n;10um
宽度: 1140&plu*n;10um  
厚度:1.2&plu*n;0.1um
焊垫直径: 100&plu*n;10um
焊垫厚度:150&plu*n;10um

 

光电特性


 


Test parameter

Condition

Min

T*

Max

Unit

Dominant wavelength(Wd)

350mA

500

-

540

nm

Radiant intensity(I)

350mA

15700

-

32600

mW/sr

Forward voltage(Vf4)

10uA

1.7

-

2.5

V

Forward voltage(Vf1)

350mA

2.8

-

3.8

V

Reverse current (Ir)

-5V

0

-

2

uA


加工定制

否

种类

LED芯片

型号/规格

EP-G4545V-A3

品牌/商标

台湾光宏

颜色

绿色

形状

方片

大小

45*45（mil）

亮度

*亮

电压

3.6V以下（V）

波长

505~535（nm）