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LED芯片（藍.白光）EP-B1109A-A1 台湾光宏

地区：上海 上海市
认证： 无

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目的

本規格書針對光鋐科技之11*9mil InGaN/GaN蓝光LED晶粒(EP-B1109A-A1)之

相關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。。

产品特性

本產品為InGaN/GaN磊晶層以金屬介面結合(Metal bonding)於Ｓi基板，P-pad

在上雙電極垂直結構，並以1.2um Au金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。

為大尺寸、高亮度產品，其優異的特性適合一般照明以及指示應用。

 

 

 

 

外观尺寸

长度:270&plu*n;20um
宽度:220&plu*n;20um  
厚度:90&plu*n;10um
焊垫直径: 90&plu*n;10um
焊垫厚度:1.2&plu*n;0.1um

 

光电特性


 


Test parameter

Condition

Min

T*

Max

Unit

Dominant wavelength(Wd)

20mA

445

-

475

nm

Radiant intensity(I)

20mA

4.1

-

9.5

mW/sr

Forward voltage(Vf4)

1uA

1.9

-

2.5

V

Forward voltage(Vf1)

20mA

2.8

-

3.8

V

Reverse current (Ir)

-8V

0

-

0.5

uA


加工定制

否

种类

LED芯片

型号/规格

EP-B1109A-A1

品牌/商标

光鋐

颜色

蓝色

形状

方片

大小

11*9（mil）

亮度

*亮

电压

3.4以下（V）

波长

447.5~462.5（nm）