台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-B4040F-A3（蓝光）双电*
地区：上海 上海市
认证：
无
图文详情
产品属性
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目的 | |||
本規格書針對光鋐科技之 40milInGaN藍光LED 晶粒 (EP-B4040F-A3) 之相 關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。 | |||
产品特性 | |||
本產品為標準藍寶石基板(Sapphire substrate)之InGaNLED單面雙電極結 構，以具有專利之透明導電層作為P-GaN之歐姆接觸層(Ohmiccontact layer)，並以2um Au 金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。 | |||
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外观尺寸 | |||
长度:945&plu*n;30um | |||
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光电特性 | |||
Test parameter | Condition | Min | T* | Max | Unit |
Dominant wavelength(Wd) | 350mA | 445 | - | 475 | nm |
Radiant intensity(I) | 350mA | 195 | - | 480 | mW/sr |
Forward voltage(Vf4) | 10uA | 2 | - | 2.5 | V |
Forward voltage(Vf1) | 350mA | 2.8 | - | 3.6 | V |
Reverse current (Ir) | -5V | 0 | - | 2 | uA |
否
LED芯片
EP-4040F-A3
台湾光宏
蓝色
方片
40*40（mil）
*亮
3.6（V）
445~475（nm）
