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台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-G3535A-A3（绿光）双电*

地区：上海 上海市
认证： 无

闳阳光电(上海)有限公司

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目的

 

 本規格書針對光鋐科技之35milInGaN綠光LED晶粒(EP-G3535A-A3)之相

關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。 

产品特性

本產品為標準藍寶石基板(Sapphire substrate)之InGaNLED單面雙電極結

構，以具有專利之透明導電層作為P-GaN之歐姆接觸層(Ohmiccontact

layer)，並以2um Au金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。

 

 

 

 

外观尺寸

长度: 865&plu*n;30um
宽度: 865&plu*n;30um
厚度: 2&plu*n;0.2um
焊垫直径: 100&plu*n;10um
焊垫厚度:150&plu*n;10um

 

光电特性

Test parameter

Condition

Min

T*

Max

Unit

Dominant wavelength(Wd)

350mA

500

-

540

nm

Radiant intensity(I)

350mA

15700

-

35800

mW/sr

Forward voltage(Vf4)

10uA

1.7

-

2.5

V

Forward voltage(Vf1)

350mA

2.6

-

3.8

V

Reverse current (Ir)

-5V

0

-

2

uA

 





是否提供加工定制

否

种类

LED芯片

型号/规格

EP-G3535A-A3

品牌/商标

台湾光宏

颜色

绿色

大小

35*35（mil）

电压

2.6~3.8（V）

波长

500~540（nm）