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台湾光宏 大功率 LED芯片 EP-B3030D-A3（蓝光）双电*

地区：上海 上海市
认证： 无

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目的

 

 本規格書針對光鋐科技之 30milInGaN藍光LED 晶粒 (EP-B3030D –A3)之相

關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。

产品特性

本產品為標準藍寶石基板(Sapphire substrate)之InGaNLED單面雙電極結

構，以具有專利之透明導電層作為P-GaN之歐姆接觸層(Ohmiccontact

layer)，並以2um Au 金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。

 

 

 

 

外观尺寸

长度:710&plu*n;30um
宽度: 710&plu*n;30um
厚度: 2&plu*n;0.2um
焊垫直径: 100&plu*n;10um
焊垫厚度:150&plu*n;10um

 

光电特性

Test parameter

Condition

Min

T*

Max

Unit

Dominant wavelength(Wd)

300mA

445

-

475

nm

Radiant intensity(I)

300mA

150

-

410

mW/sr

Forward voltage(Vf4)

10uA

1.9

-

2.5

V

Forward voltage(Vf1)

350mA

2.8

-

3.8

V

Reverse current (Ir)

-5V

0

-

2

uA

 

是否提供加工定制

否

种类

LED芯片

型号/规格

EP-B3030D-A3

品牌/商标

台湾光宏

颜色

蓝色

形状

方片

大小

30*30（mil）

亮度

*亮

电压

3.8（V）

波长

445~475（nm）