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台湾光宏 LED芯片 (圓片）BL-G0907A-R1 3.6V 以下

地区：上海 上海市
认证： 无

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目的

本規格書針對光鋐科技之9*7mil InGaN绿光LED晶粒(EL-G0907A-A1)之相

關基本特性進行說明，以作為客戶應用時之參考資料。

产品特性

本產品為標準绿寶石基板(Sapphire substrate)之InGaN LED單面雙電極結

構，以具有專利之透明導電層作為P-GaN之歐姆接觸層(Ohmic contact

layer)，並以1.2um Au金屬層作為焊線電極(Bonding pad)。

 

 

 

 

外观尺寸

长度:230&plu*n;20um
宽度:180&plu*n;20um  
厚度:90&plu*n;10um
焊垫直径:70&plu*n;0.1um
焊垫厚度:1.2&plu*n;10um

 

光电特性

 

Test parameter

Condition

Min

T*

Max

Unit

Dominant wavelength(Wd)

20mA

500

-

540

nm

Radiant intensity(I)

20mA

125

-

440

mW/sr

Forward voltage(Vf4)

1uA

1.7

-

2.5

V

Forward voltage(Vf1)

20mA

2.8

-

3.6

V

Reverse current (Ir)

-8V

0

-

0.5

uA


加工定制

否

种类

LED芯片

型号/规格

BL-G0907A-R1

品牌/商标

台湾 光宏

颜色

绿色

形状

圆片

大小

9*7（mil）

亮度

高亮

电压

3.6以下（V）

波长

500~530（nm）