场效应管 TK11A50D,TK11A50,K11A50D

产品型号:TK11A50D

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):500

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.6

最大漏极电流Id(on)(A):11

功率PD(W):45

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150

描述:500V,11A 功率MOSFET

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型号/规格

TK11A50D,TO-220F,DIP/MOS,N场,500V,11A,0.6Ω

品牌/商标

TOSHIBA（东芝）

封装形式

TO-220F

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

2500/盒

功率特征

供应 场效应管 TK11A50D,TK11A50,K11A50D