场效应管 FQP10N60,FQP10N60C,FDP10N60,10N60

产品型号:FQP10N60C

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.73

最大漏极电流Id(on)(A):10

功率PD(W):156

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150

描述:600 V, 10A 功率MOSFET

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型号/规格

FQP10N60C,MOS,220,600V,10A

品牌/商标

FAIRCHILD（飞兆）

封装形式

TO-220

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

1000/盒

功率特征

供应 场效应管 FQP10N60,FQP10N60C,FDP10N60,10N60