场效应管 FQPF8N60,FQPF8N60CF,FQPF8N60C

产品型号:FQPF8N60C

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.2

最大漏极电流Id(on)(A):7.5

功率PD(W):147

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TO-220 /-55 ~150

描述:600V,7.5A 功率MOSFET

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型号/规格

FQPF8N60C,MOS,220F,600V,7.5A

品牌/商标

FAIRCHILD（飞兆）

封装形式

TO-220F

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

1000/盒

功率特征

供应 场效应管 FQPF8N60,FQPF8N60CF,FQPF8N60C