供应 场效应管 , KHB7D0N80F1 , 7D0N80F

地区:广东 深圳
认证:

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产品型号:KHB7D0N80F1

源漏极间雪崩电压VBR(V):24

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.55

最大漏极电流Id(on)(A):7

通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220F 4/-55 ~150
描述:800V, 7 A功率
MOSFET

型号/规格

KHB7D0N80F1 KEC TO-220F 09NPB DIP/MOS N场 800V 7A 1.55Ω

品牌/商标

KEC

封装形式

TO-220F

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

单件包装

功率特征