供应 场效应管 BSC067N06LS3G,067N06LS,BSC067N06
地区:广东 深圳
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产品属性
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型 号:BSC067N06LS3G | ||||
标 记: 067N06LS | ||||
类 型:场效应管 | ||||
通道极性: N通道 | ||||
封 装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8 | ||||
备 注:正品 | ||||
Parameter | Symbol | Conditions | Value | Unit |
Drain-source breakdown voltage | V(BR)DSS | VGS=0V,ID=1mA | 60 | V |
Continuous drain current | ID | VGS=10V,TC=25℃ | 50 | A |
Pulsed drain current | IDM | TC=25℃ | 200 | A |
Avalanche energy, single pulse | EAS | ID=50A, RGS=25Ω | 47 | mJ |
Gate source voltage | VGS | ±20 | V | |
Power dissipation | Ptot | TC=25℃ | 69 | W |
Gate threshold voltage | VGS(th) | VDS=VGS,ID=35µA | 2.2 | V |
Drain-source on-state resistance | RDS(on) | VGS=10V, ID=50A | 6.7 | mΩ |
Input capacitance | Ciss | VGS=0V,VDS=30V, f=1MHz | 3800 | PF |
Transconductance | gfs | |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=50A | 77 | S |
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BSC067N06LS3G,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,60V ,50A.
INFINEON(英飞凌)
QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
无铅环保型
贴片式
5000/盘
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