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供应 IRF9610 IRF9510 P MOS

地区：广东 深圳
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IRF9510,TO-220,IR,SMD/MOS,-100V,-4A,P场,1.2Ω 全新原装正品!价格优惠!现货供应! 以优势说话

 

Parameter Symbol Conditions Value Unit
Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=-250µA -100 V
Continuous drain current ID TC=25℃ -4 A
Pulsed drain current IDM TC=25℃ -16 A
Power dissipation Ptot TC=25℃ 43 W
Gate source voltage VGS 　 ±20 V
Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=-250µA -4 V
Avalanche energy, single pulse EAS ID=-4A, RGS=25Ω 200 mJ
Drain-source on-state resistance RDS(on) VGS=10V, ID=-2.4A 1.2 Ω
Input capacitance Ciss VGS=0V,VDS=25V, f=1MHz 200 PF
Transconductance gfs VDS=50V,ID =-2.4A 22 S

 

型号/规格

IRF9510

品牌/商标

IR

封装形式

TO-220

环保类别

普通型

安装方式

直插式

包装方式

1K/盒

功率特征