供应 场效应管 BSC080N03MSG,080N03MS,BSC080N03

地区:广东 深圳
认证:

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型   号:BSC080N03MSG
标   记: 080N03MS
类   型:场效应管
通道极性: N通道
封   装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8
备   注:正品
Parameter Symbol Conditions Value Unit
Drain-source breakdown voltage V(BR)DSS VGS=0V,ID=1mA 30 V
Continuous drain current ID VGS=10V,TC=25℃ 53 A
Pulsed drain current IDM TC=25℃ 212 A
Avalanche energy, single pulse EAS ID=35A, RGS=25? 15 mJ
Gate source voltage VGS   ±20 V
Power dissipation Ptot TC=25℃ 35 W
Gate threshold voltage VGS(th) VDS=VGS,ID=250µA 2 V
Drain-source on-state resistance RDS(on) VGS=10V, ID=30A 8 m?
Input capacitance Ciss VGS=0V,VDS=15V, f=1MHz 1600 PF
Transconductance gfs |VDS|>2|ID|RDS(on)max,ID=30A 58 S

型号/规格

BSC080N03MSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,53A.

品牌/商标

INFINEON(英飞凌)

封装形式

QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

5000/盘

功率特征