供应 场效应管 Si2312,Si2312DS,Si2312BDS

产品型号:Si2312DS

封装:SOT-23

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20

夹断电压VGS(V):±8

最大漏极电流Id(A):3.77

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.033 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):0.85

功率PD(W):0.75

输入电容Ciss(PF):240 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):11.25

导通延迟时间Td(on)(ns):15 typ.

上升时间Tr(ns):40 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):48 typ.

下降时间Tf(ns):31 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:20V,3.77A N-沟道增强型场效应晶体管