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产品属性
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产品型号:AP9977GH-HF
封装:SOT-252
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±25
最大漏极电流Id(A):11
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.1 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):3
功率PD(W):21
输入电容Ciss(PF):485 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):7
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):
导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ.
上升时间Tr(ns):11 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):14 typ.
下降时间Tf(ns):2 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:60V,11A N-沟道增强型场效应晶体管
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AP9977GH-HF,SOT-252,SMD/MOS,N场,60V,11A,0.1Ω
AP/富鼎
SOT-252
无铅环保型
贴片式
2500/盘
供应 场效应管 IRF820PBF,IRF830PBF,IRF840PBF
供应 场效应管 2SJ655,J655
供应 场效应管 SSM3J129TU JJE SSM3J133TU
供应 场效应管 BSC0904NSI,0904NSI
供应 场效应管 PHB98N03,PHB98N03LT
供应 场效应管 TK12A50D,K12A50D,TK12A50DR
供应 场效应管 AP83T03GH-HF,83T03GH,AP83T03GH
供应 场效应管 BSZ067N06LS3G,067N06L
供应 场效应管 AON6200L , AON6200 , 6200
供应 场效应管 TK18A50D,K18A50D,TK18A50