供应 场效应管 SSM3J129TU JJE SSM3J133TU

SSM3J129TU,SOT-323,SMD/MOS,P场,-20V,-4.6A,0.046Ω，带二极静电保护

TOSHIBA Field-Effect Transistor Silicon P-Channel MOS Type (U-MOSV)

应用:

 * 电源管理开关应用
 * 高速开关应用

特点：
 * 1.5V驱动器
 * 低导通电阻：Ron = 137mΩ (max) (@VGS = -1.5 V)
             ：Ron = 88mΩ (max) (@VGS = -1.8 V)
             ：Ron = 62mΩ (max) (@VGS = -2.5 V)
             ：Ron = 46mΩ (max) (@VGS = -4.5 V)

产品型号:SSM3J129TU

封装:SOT-323

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20

夹断电压VGS(V):±8

最大漏极电流Id(A):-4.6

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.046 @VGS = -4.5 V

开启电压VGS(TH)(V):-1.0

功率PD(W):0.5

输入电容Ciss(PF):640 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(s)：12.2

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):32 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):102 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM3J129TU,P场,-20V,-4.6A P-沟道增强型场效应晶体管

(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)