场效应管 FQPF2N40,FQPF3N40,FQPF5N40

产品型号:FQPF2N40

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):400

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):5.8

最大漏极电流Id(on)(A):1.1

功率PD(W):16

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TO-220F /-55 ~150

描述:400V,1.1A 功率MOSFET

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型号/规格

FQPF2N40,TO-220F,MOS,400V,1.1A

品牌/商标

FAIRCHILD（飞兆）

封装形式

TO-220F

环保类别

无铅环保型

安装方式

直插式

包装方式

1000/盒

功率特征

供应 场效应管 FQPF2N40,FQPF3N40,FQPF5N40