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产品属性
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产品型号:STP9NC60
封装:TO-220
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):9
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.75 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):125
输入电容Ciss(PF):1400 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):10
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):850
导通延迟时间Td(on)(ns):28 typ.
上升时间Tr(ns):15 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):53 typ.
下降时间Tf(ns):30 typ.
温度(℃): -65 ~150
描述:600V,9A N-沟道增强型 PowerMESH MOSFET
产品特点:
.极高dv / dt能力
.100%的雪崩测试
.新的高压基准
.栅极电荷最小化
应用范围:
.大电流,高开关速度
.SWITH模式电源(SMPS)
.DC-AC转换器的焊接
.设备和不间断
.电源和电机驱动
STP9NC60
ST(意法半导体)
TO-220
无铅环保型
直插式
1000/盒
供应 场效应管 IRF720PBF,IRF720A,IRF720B
供应 场效应管 TK12A55D,K12A55D,TK12A55
供应 场效应管 CMU2N60,KIA2N60HU,2N60
供应 场效应管 TPC8114 TPC8123
供应 500V COOLMOS IPP50R520CP 5R520P
供应场效应管,IRF830,IRF830B,IRF830PBF
供应 场效应管 AO3413,AO3419,3413,3419
供应 场效应管 AP9972GI 9972GI
供应 场效应管 FDP2532,FDP79N15,STP80NF12
供应 场效应管 AO4916L,AO4914L,AO4912L