供应 场效应管 AO4916L,AO4914L,AO4912L

地区:广东 深圳
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产品型号:AO4916

源漏极间雪崩电压VDSS(V):30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.017

最大漏极电流Id(on)(A):8.5

通道极性:双N沟道


封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150


描述:30V 8.5A功率
MOSFET

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产品型号:AO4914

源漏极间雪崩电压VDSS(V):30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.018

最大漏极电流Id(on)(A):8.5A

通道极性:双N沟道


封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150


描述:30V 8.5A功率
MOSFET

产品型号:AO4912

源漏极间雪崩电压VDSS(V):30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.026

最大漏极电流Id(on)(A):8.5

通道极性:双N沟道


封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150


描述:30V 8.5A功率
MOSFET

产品型号:AO4906

源漏极间雪崩电压VDSS(V):30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.027

最大漏极电流Id(on)(A):7A

通道极性:双N沟道


封装/温度(℃):SOP-8/-55 ~150


描述:30V 7A功率
MOSFET

型号/规格

AO4916

品牌/商标

AO

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

3000/盘

功率特征

小功率