供应 场效应管 AP25N10GH-HF,AP25N10GH,25N10GH

产品型号:AP25N10GH-HF
特点：
 * 低栅极电荷
 * 单驱动器要求
 * 符合RoHS及无卤素

封装:SOT-252

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):100

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):23

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.08 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):96

输入电容Ciss(PF):1060 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：14

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):10 typ.

上升时间Tr(ns):28 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):17 typ.

下降时间Tf(ns):2 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:100V,23A N-沟道增强型场效应晶体管

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