供应 场效应管 AP20T03GH,AP20T03,20T03GH

产品型号:AP20T03GH
特点
 * 简单的驱动要求
 * 更低的栅极电荷
 * 快速开关特性

封装:SOT-252

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):12.5

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.05 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):3

功率PD(W):12.5

输入电容Ciss(PF):270 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：6

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):6 typ.

上升时间Tr(ns):30 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):10 typ.

下降时间Tf(ns):3 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:30V,12.5A N-沟道增强型场效应晶体管

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