供应 场效应管 CEU05N65,CEU02N6G,CEU01N65

地区:广东 深圳
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MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
产品型号:CEU05N65

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):650

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):4

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):2.4

开启电压VGS(TH)(V):4.5

功率PD(W):56

极间电容Ciss(PF):570

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):SOT-252  /-55 ~150

描述:650V, 4A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

 

型号/规格

CEU05N65,SOT-252,SMD/MOS,N场,650V,4A,2.4Ω

品牌/商标

CET/华瑞

封装形式

SOT-252

环保类别

普通型

安装方式

贴片式

包装方式

2500/盘