供应 场效应管 SSM6P36FE SSM6P16FE SSM6P15FE

SSM6P36FE,SOT-563(1.6*1.6),SMD/MOS,双P,-20V,-0.33A,1.31Ω,带ESD二极静电保护

产品型号:SSM6P36FE

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type

应用:

 * Power Management Switches/电源管理开关

特点：
 * 1.5-V驱动器
 * 低导通电阻：Ron = 3.60 Ω (max) (@VGS = -1.5 V)
             ：Ron = 2.70 Ω (max) (@VGS = -1.8 V)
             ：Ron = 1.60 Ω (max) (@VGS = -2.8 V)
             ：Ron = 1.31 Ω (max) (@VGS = -4.5 V)

封装:SOT-563

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-20

夹断电压VGS(V):±8

最大漏极电流Id(A):-0.33

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.31 @VGS = -4.5 V

开启电压VGS(TH)(V):-1

功率PD(W):0.15

输入电容Ciss(PF):43 typ.

通道极性:双P

低频跨导gFS(ms)：190

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):90 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):200 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM6P36FE,-20V,-0.33A 双P-沟道增强型场效应晶体管

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