供应 场效应管 FQPF7N80C,FQPF8N80C,FQPF8N80

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 MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.
产品型号:FQPF7N80C

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):.6.6

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.9

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):56

极间电容Ciss(PF):1680

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TO-220F  /-55 ~150

描述:800V, 6.6A N-Channel 功率MOSFET

产品型号:FQPF8N80C

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):.8

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.55

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):59

极间电容Ciss(PF):2050

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TO-220F  /-55 ~150

描述:800V, 8A N-Channel 功率MOSFET

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