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产品属性
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产品型号:TPCA8057-H
封装:PSOP-8
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):42
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0026 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):2.3
功率PD(W):57
输入电容Ciss(PF):4300 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):2.6
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):229
导通延迟时间Td(on)(ns):14 typ.
上升时间Tr(ns):4.3 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):52 typ.
下降时间Tf(ns):6.3 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:30V,42A N-沟道增强型场效应晶体管
TPCA8057-H,QFN-8 5*6,SMD/MOS,N场,30V,42A,0.0026Ω
TOSHIBA(东芝)
PSOP-8
无铅环保型
贴片式
3000/盘
供应 场效应 TK80E06K3,K80E06K3
供应 场效应管 FQP9N25,IRF614,IRF614B,IRF614A
供应 场效应管 AP9653GJ,AP9653,9653GJ
供应 场效应管 SI7636DP-T1-E3,SI7636DP
代理KIA场效应管,KIA5N60EF,KIA5N60,5N60
供应场效应管,KIA830,KIA830HD,STK830D
供应 场效应管 2SK3305 K3305 2SK3325 K3325
供应 场效应管 ISL9N304AS3ST,ISL9N304,N304AS
供应 场效应管 IPG20N06S4L-14,4N06L14
供应 场效应管 CMU417,CMU40P03,U417,40P03