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产品属性
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MOS管,广泛应用于电池充电器,普通电源,智能开关电源,灯具
功率开关,LED,车载,玩具,电动车,电脑主板.
产品型号:CEP6060N
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):60
夹断电压VGS(V):±20
最大漏极电流Id(A):42
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.025
开启电压VGS(TH)(V):4
功率PD(W):88
极间电容Ciss(PF):1320
通道极性:N沟道
封装/温度(℃):TO-220 /-65 ~175
描述:60V, 42A N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
CEP6060N,TO-220,DIP/MOS,N场,60V ,42A,0.025Ω
CET/华瑞
TO-220
普通型
直插式
1000/盒
供应 场效应管 STP8NC50,P8NC50,RFP9N50
供应 场效应管 IRF820PBF,IRF830PBF,IRF840PBF
供应场效应管 KIA18N50H,KIA18N50,18n50
供应 场效应管 SSP6N60
供应 场效应管 CMU06N02N,CMU09N02N
供应 场效应管 CMU2N60,KIA2N60HU,2N60
供应 场效应管 CEP63A3 ,63A3
代理场效应管,KIA2N60HD,KIA2N60H,TK2P60D,K2P60D
供应 场效应管 SSS4N80AS,SSS4N80,SSS3N80
供应 场效应管 SSM3K44FS SSM3K15AFS