供应 场效应管 CMU2N60,KIA2N60HU,2N60

产品型号:CMU2N60

封装:TO-251

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):2

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):5 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):45

输入电容Ciss(PF):220 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：5

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):120

温度(℃): -55 ~150

描述:600V,2A N-沟道增强型场效应晶体管

产品型号:KIA2N60HU

封装:TO-251

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):2

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):4.4 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):54

输入电容Ciss(PF):330 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：10

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):48

温度(℃): -55 ~150

描述:600V,2A N-沟道增强型场效应晶体管