供应 场效应管 TK12A55D,K12A55D,TK12A55

产品型号:TK12A55D

封装:TO-220F

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):550

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(A):12

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.57 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):4

功率PD(W):45

极间电容Ciss(PF):1550

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：6

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):317

温度(℃): -55 ~150

描述:550V,12A TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOS Ⅶ)

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