供应 场效应管 SSM3J15FV SSM3J16FV DQ DT

SSM3J15FV,SOT-723（1.2*1.2）,SMD/MOS,P场,-30V,-0.1A,12Ω，带二极(ESD)静电保护

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon P Channel MOS Type

应用:

 * High Speed Switching Applications/高速开关应用
 * Analog Switch Applications/模拟开关应用

特点：
 * 小封装
 * 低导通电阻：: Ron = 12 Ω (max) (@VGS = -4 V)
               : Ron = 32 Ω (max) (@VGS = -2.5 V)

产品型号:SSM3J15FV

封装:SOT-723

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):-30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):-0.1

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):12 @VGS = -4 V

开启电压VGS(TH)(V):-1.7

功率PD(W):0.1

输入电容Ciss(PF):9.1 typ.

通道极性:P沟道

低频跨导gFS(ms)：20

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):65 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):175 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM3J15FV,P场,-30V,-0.1A,P-沟道增强型场效应晶体管

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