场效应管 TPC8035-H,TPC8028

Characteristics	Symbol	Rating	Unit
Drain current	I_D	18	A
Drain power dissipation	P_D	1.9	W
Drain-Source voltage	V_DSS	30	V

Characteristics	Symbol	Condition	Value	Unit
Total gate charge (Typ.)	Q_g	-	45	nC
Drain-Source on-resistance (Max)	R_DS(ON)	\|V_GS\|=4.5V	0.008	Ω
Drain-Source on-resistance (Max)	R_DS(ON)	\|V_GS\|=10V	0.0043	Ω

产品型号:TPC8028,SOP-8,SMD/MOS,N场,30V,18A,0.0043Ω

封装:SOP-8

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

最大漏极电流Id(A):18

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0043 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.5

功率PD(W):1.9

输入电容Ciss(PF):1800 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：40

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):84

导通延迟时间Td(on)(ns):26 typ.

上升时间Tr(ns):14 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):54 typ.

下降时间Tf(ns):19 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:TPC8028,30V,18A,0.0043Ω N-沟道增强型场效应晶体管

深圳市金城微零件有限公司
地址：深圳市福田区华富路航都大厦13E
专业经营：各种三极管、场效应管、可控硅、稳压ＩＣ、开关电源IC、肖特基、IGBT等
(产品图片,产品参数,产品PDF,产品Datasheet等产品相关信息在线了解\查询\下载.)

型号/规格

TPC8028

品牌/商标

TOSHIBA（东芝）

封装形式

SOP-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

3000/盘

供应 场效应管 TPC8035-H,TPC8028