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供应 场效应管 BSC886N03LSG,886N03LS,BSC886N03

地区：广东 深圳
认证： 无

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产品型号:BSC886N03LSG

封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

雪崩能量EAS(mJ):20

最大漏极电流Id(A):65

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.006 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2.2

功率PD(W):39

极间电容Ciss(PF):1600 typ.

通道极性:N通道

低频跨导gFS(s)：65

温度(℃): -55 ~150

描述:30V,65A, OptiMOS Power-Transistor

型号/规格

BSC886N03LSG,QFN-8 5*6/PG-TDSON-8,SMD/MOS,N场,30V,65A,0.006Ω

品牌/商标

INFINEON（英飞凌）

封装形式

QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

环保类别

无铅环保型

安装方式

贴片式

包装方式

5000/盘