供应 场效应管 BSC119N03SG 119N03S G BSC119N03

产品型号:BSC119N03SG

封装:QFN-8 5*6/PG-TDSON-8

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):30

夹断电压VGS(V):±20

雪崩能量EAS(mJ):60

最大漏极电流Id(A):30

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.0119 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):2

功率PD(W):43

极间电容Ciss(PF):1030 typ.

通道极性:N通道

低频跨导gFS(s)：43

温度(℃): -55 ~150

描述:30V,30A, OptiMOS Power-Transistor

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