供应 场效应管 SSM3K04FS DC

SSM3K04FS,SOT-416（1.6*1.6）,SMD/MOS,N场,20V,0.1A,12Ω，带二极(ESD)静电保护

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type

应用:

 * High Speed Switch Applications/高速开关应用

特点：
 * 内置的栅极 - 源极电阻: RGS = 1 MΩ (typ.)
 * 2.5 V门极驱动
 * 低栅极阈值电压: Vth = 0.7~1.3 V
 * 小封装

产品型号:SSM3K04FS

封装:SOT-416

品牌：TOSHIBA/东芝

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20

夹断电压VGSS(V):10

最大漏极电流Id(A):0.1

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):12 @VGS = 2.5 V

开启电压VGS(TH)(V):1.3

功率PD(W):0.1

输入电容Ciss(PF):11 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(ms)：50

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(us):0.16 typ.

关断延迟时间Td(off)(uns):0.19 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:SSM3K04FS,N场,20V,0.1A,12Ω,N-沟道增强型场效应晶体管

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