供应 场效应管 FQP7N80,FQP7N80C,FQP6N80C

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 MOS管，广泛应用于电池充电器，普通电源，智能开关电源，灯具
功率开关，LED，车载，玩具，电动车，电脑主板.

产品型号:FQP6N80C

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(on)(A):5.5

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):2.5

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):158

极间电容CISS(PF):1310

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TO-220  /-55 ~150

描述:800V N-Channel MOSFET

产品型号:FQP7N80C

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):800

夹断电压VGS(V):±30

最大漏极电流Id(on)(A):6.6

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):1.9

开启电压VGS(TH)(V):5

功率PD(W):167

极间电容CISS(PF):1680

通道极性:N沟道

封装/温度(℃):TO-220  /-55 ~150

描述:800V N-Channel MOSFET

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