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产品属性
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产品型号:P0460ATF
封装:TO-220F
源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):600
夹断电压VGS(V):±30
最大漏极电流Id(A):4
源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):2 @VGS = 10 V
开启电压VGS(TH)(V):4.5
功率PD(W):27
输入电容Ciss(PF):780 typ.
通道极性:N沟道
低频跨导gFS(s):5
单脉冲雪崩能量EAS(mJ):80
导通延迟时间Td(on)(ns):23 typ.
上升时间Tr(ns):28 typ.
关断延迟时间Td(off)(ns):44 typ.
下降时间Tf(ns):44 typ.
温度(℃): -55 ~150
描述:600V,4A N-沟道增强型场效应晶体管
P0460ATF,TO-220F,DIP/MOS,N场,600V,4A,2Ω
NIKO
TO-220F
无铅环保型
直插式
1000/盒
供应 场效应管 FQPF4N90C,SSS4N90A,FQPF4N90
供应 600V 场效应管 FCP20N60 20N60
供应 场效应管IRLR8729TRPBF IRLR8256TRPBF
供应 场效应管 CMU417,CMU40P03,U417,40P03
供应 场效应管 BSC016N03,016N03MS,BSC016N03MSG
供应 场效应管 , KHB7D0N80F1 , 7D0N80F
供应 场效应管 TK40E10K3 K40E10K3
供应 场效应管 NDP6060,HUF76429P3,76429P
供应 场效应管 SSM6K34TU SSM6K407TU
供应 场效应管 CEU4204