供应 场效应管 AP9T18GH,9T18GH,AP9T16GH,9T16GH

产品型号:AP9T18GH

封装:SOT-252

源漏极间雪崩电压V(br)dss(V):20

夹断电压VGS(V):±16

最大漏极电流Id(A):38

源漏极最大导通电阻rDS(on)(Ω):0.014 @VGS = 10 V

开启电压VGS(TH)(V):1.5

功率PD(W):31.3

输入电容Ciss(PF):1115 typ.

通道极性:N沟道

低频跨导gFS(s)：33

单脉冲雪崩能量EAS(mJ):

导通延迟时间Td(on)(ns):12 typ.

上升时间Tr(ns):80 typ.

关断延迟时间Td(off)(ns):22 typ.

下降时间Tf(ns):12 typ.

温度(℃): -55 ~150

描述:20V,38A N-沟道增强型场效应晶体管

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